By this author

Low frequency properties of a silicon-based plasmonic detector

Issue number 2 from 16.09.2025

Свойства плазмонного детектора электромагнитного излучения на основе кремния были изучены в области малых частот (0.1–20 ГГц). При этом чувствительный элемент детектора был встроен в согласованный копланарный волновод, по которому пропускалось электромагнитное излучение. Измерена зависимость постоянного напряжения, возникающая на выходе детектора, от частоты возбуждающего излучения. Получены мощностные характеристики такого детектора, определена мощность электромагнитного излучения, при которой детектор переходит в нелинейный режим.

18 0

The response time of a silicon-based plasmonic detector

Issue number 2 from 16.09.2025

Исследовано время отклика плазмонного детектора электромагнитного излучения на основе кремния. Для этого были проведены эксперименты по смешиванию в микроволновом частотном диапазоне. При этом чувствительный элемент детектора был встроен в щели согласованного копланарного волновода. По затуханию амплитуды сигнала смешивания на разностной частоте было оценено время отклика τ = 60 ± 10 пс.

17 0