Статьи автора

ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗМОЖНОСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ОСТРОВКОВЫХ SERS-СТРУКТУР НА ПОДЛОЖКЕ GaP ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНО-УСИЛЕННОГО НЕУПРУГОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА В ИНФРАКРАСНОМ ЧАСТОТНОМ ДИАПАЗОНЕ

Номер выпуска 2 от 16.09.2025

Изучены свойства периодических диэлектрических структур из фосфида галлия (GaP), покрытых слоем серебра, и позволяющих усиливать сигнал поверхностно-усиленного неупругого рассеяния света (SERS). Получены зависимости интенсивности сигнала рассеяния от периода для разных высот структуры. Проведено сравнение интенсивностей сигнала рассеяния для SERS-структур на подложках SiO2 и GaP для длин волн лазерного возбуждения 532, 785 и 1064 нм. Обнаружена способность структур на подложке GaP с тонким слоем металла усиливать сигнал более чем на 7 порядков в инфракрасном частотном диапазоне. Изучена зависимость коэффициента усиления рамановского сигнала от толщины напыленного слоя.

16 0