Изучена люминесценция экситонов и трионов в монослое MoSe2, инкапсулированном hBN, при нерезонансном фотовозбуждении электронно-дырочных пар в зависимости от температуры и интенсивности накачки. Сдвиг линий люминесценции и перераспределение интенсивностей можно объяснить влиянием как ферми-газа свободных электронов, так и локализованных состояний электронов, обусловленных наличием примесей в нитриде бора hBN.
Методом оптической спектроскопии отражения исследованы основные и возбужденные состояния А- и В-экситонов в монослоях MoSe2 и WSe2 в широком диапазоне температур вплоть до комнатной. Показано, что возбужденные состояния наблюдаются в спектре даже при комнатной температуре. В зависимости от подобранных параметров структуры линия В-экситона может оказаться сравнимой по интенсивности с линией А-экситона.
Разработана и освоена методика спектроскопии отражения и пропускания гетероструктур с монослоями MoSe2 И WSe2. Проведено сравнение полученных спектров со спектрами микрофотолюминесценции. Показано, что трионная линия, доминирующая в спектрах микрофотолюминесценции, отсутствует в спектрах отражения. Также представлена зависимость спектров отражения от толщины инкапсулирующих слоев.
Индексирование
Scopus
Crossref
Высшая аттестационная комиссия
При Министерстве образования и науки Российской Федерации