RAS PhysicsИзвестия Российской академии наук. Серия физическая Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics

  • ISSN (Print) 0367-6765
  • ISSN (Online) 3034-6460

Luminescence of MoSe2: effect of temperature and pumping value

PII
S0367676525020106-1
DOI
10.31857/S0367676525020106
Publication type
Article
Status
Published
Authors
Volume/ Edition
Volume 89 / Issue number 2
Pages
211-214
Abstract
The luminescence of excitons and trions in a MoSe monolayer encapsulated with hBN was studied under non-resonant photoexcitation of electron-hole pairs depending on the temperature and pumping intensity. The shift of luminescence lines and the redistribution of intensities can be explained by the influence of both the Fermi gas of free electrons and localized states of electrons caused by the presence of impurities in boron nitride hBN.
Keywords
ван-дер-ваальсова гетероструктура люминесценция экситон трион
Date of publication
16.09.2025
Year of publication
2025
Number of purchasers
0
Views
17

References

  1. 1. Wang G., Chernikov A., Glazov M.M. et al. // Rev. Mod. Phys. 2018. V. 90. Art. No. 021001.
  2. 2. Дурнев М.В., Глазов М.М. // УФН. 2018. Т. 188. № 9. С. 913
  3. 3. Glazov M.M. // J. Chem. Phys. 2020. Art. No. 153034703.
  4. 4. Gillen R., Robertson J., Maultzsch J. // Phys. Stat. Sol. B. 2014. V. 251. P. 2620.
  5. 5. Vokhmintsev A.S., Weinstein I.A. // J. Luminescence. 2021. V. 230. Art. No. 117623.
  6. 6. Wang Z., Chiu Y.-H., Honz K. et al. // Nano Lett. 2018. V. 18. No. 1. P. 137.
  7. 7. Efimkin D.K., MacDonald A.H. // Phys. Rev. B. 2017. V. 95. Art. No. 035417.
  8. 8. Семина М.А., Сурис Р.А. // УФН. 2022. Т. 192. № 2. С. 121
  9. 9. Fey C., Schmelcher P., Imamoglu A., Schmidt R. // Phys. Rev. B. 2020. V. 101. Art. No. 195417.
  10. 10. Wagner K., Wietek E., Ziegler J.D. et al. // Phys. Rev. Lett. 2020. V. 125. Art. No. 267401.
  11. 11. O’Donnell K.P., Chen X. // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. No. 25. P. 2924.
  12. 12. Ross J.S., Wu S., Yu H. et al. // Nature Commun. 2013. V. 4. Art. No. 1474.
  13. 13. Голышков Г.М, Бричкин А.С., Черненко А.В. // Физ. и техн. полупровод. 2024. Т. 58. № 5. С. 233.
  14. 14. Черненко А.В., Бричкин А.С., Голышков Г.М. // Изв. РАН. Сер. физ. 2024. Т. 88. № 2. C. 247
  15. 15. Волков О.В., Житомирский В.Е., Кукушкин И.В. и др. // Письма в ЖЭТФ 1997. Т. 66. № 11. С. 730
  16. 16. Волков О.В., Кукушкин И.В., фон Клитцинг К., Эберл К. // Письма в ЖЭТФ. 1998. Т. 68. № 3. С. 223
  17. 17. Zipfel J., Wagner K., Semina M.A. et al. // Phys. Rev. B. 2022. V. 105. Art. No. 075311.
  18. 18. Onodera M., Isayama M., Taniguchi T. et al. // Carbon. 2020. V. 167. P. 785.
  19. 19. Maity A., Grenadier S.J., Li J. et al. // Progr. Quantum Electron. 2021. V. 76. Art. No. 100302.
QR
Translate

Индексирование

Scopus

Scopus

Scopus

Crossref

Scopus

Higher Attestation Commission

At the Ministry of Education and Science of the Russian Federation

Scopus

Scientific Electronic Library